用一句话说，场效应管的原理是漏极-源极间流过沟道ID，用于栅极与沟道之间pn结形成的反偏格栅极电压控制ID”。更准确地说，ID通道的宽度，即通道截面，是由通道的宽度组成的pn结反偏的转变，造成耗尽层扩展转变操作的缘故原由。在VGS=0的非饱和地域表现过渡层的扩展不是很大，由于它是基于漏极-源极之间添加的VDS电场、源极区域的一些电子被漏极拉走，即漏极向源有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过多层将部门沟道形成壅闭型，ID饱和。这种状态被称为夹断。这意味着过渡层阻挡了沟道的一部门，而不是断开电流。
在过渡层中，由于没有电子和空穴位的自由移动，在理想状态下险些具有绝缘特征，一样平常电流难以流动。然而，在这个时间，漏极与源极之间的电场现实上是两个过渡层接触到漏极和门极下的周围，由于从浮动电场拉出的高速电子是基于过渡层。由于漂移电场的强度险些稳定，ID饱和征象。饱和征象。次之，VGS向负偏向转变，让VGS=VGS(off)，此时，过渡层可能成为笼罩整个区域的情形。而且VDS大部门电场加入过渡层，将电子拉向漂移偏向的电场，只有靠近源极的短部门，使电流无法循环。
场效应晶体管通称场效应管。分为两类：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，通称MOS-FET）。大多数载流子到场导电，又称单极晶体管。属于电压控制半导体器件。输入电阻高(107~1015)Ω）、噪音小、功耗低、动态规模大、集成利便、无二次穿透、宁静事情区域宽，已成为双极晶体管和功率晶体管的强盛竞争对手。
凭据沟质料类型和绝缘网格类型，分为N沟和P沟；凭据导电要领：光消耗型和增强型，结型场效应管为光消耗型，绝缘网格场效应管为光消耗型和增强型。场效应晶体管可分为场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效晶体管又分为N沟耗光型和增强型；P沟耗光型和增强型四大类。
